作為尖端半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè)，三星電子今日宣布已從本月起開始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4GbDDR3DRAM。

三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機(jī)，克服了20納米DRAM微細(xì)化的技術(shù)限制，開創(chuàng)了內(nèi)存存儲(chǔ)器制造技術(shù)的新紀(jì)元。NAND閃存的基本存儲(chǔ)單元由一個(gè)晶體管構(gòu)成，而DRAM則由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管串聯(lián)構(gòu)成，因此后者更難實(shí)現(xiàn)制程技術(shù)的微細(xì)化。然而，三星電子通過對(duì)芯片設(shè)計(jì)和制程技術(shù)的改良，創(chuàng)新性地研發(fā)出“改良版雙重照片曝光技術(shù)(ModifiedDoublePatterning)”和“超薄介電層成型技術(shù)(Atomiclayer deposition)”，順利實(shí)現(xiàn)了20納米4Gb DDR3 DRAM的量產(chǎn)。

“改良版雙重照片曝光技術(shù)(ModifiedDoublePatterning)”僅利用現(xiàn)有的光刻機(jī)設(shè)備即可生產(chǎn)20納米DDR3，而且更為下一代10納米級(jí)DRAM的量產(chǎn)做了核心技術(shù)儲(chǔ)備，為半導(dǎo)體制程技術(shù)建立了一個(gè)新的里程碑。同時(shí)，電容器單元的介電層不僅超薄，而且前所未有的排列均衡，確保了基本存儲(chǔ)單元的優(yōu)越性能。

在這些新技術(shù)的基礎(chǔ)上，新一代20納米DDR3DRAM的生產(chǎn)率比25納米DDR3提高了30%以上，更比30納米級(jí)DDR3提高了超過一倍。同時(shí)，基于20納米的DDR3DRAM模組的耗電量同比基于25納米的DDR3降低了25%，將為全球IT企業(yè)提供最優(yōu)質(zhì)的“超節(jié)能綠色I(xiàn)T方案”。

三星電子存儲(chǔ)芯片事業(yè)部戰(zhàn)略營銷部門負(fù)責(zé)人全永鉉副總裁表示：“三星電子的新一代超節(jié)能型20納米DDR3內(nèi)存將在包括電腦和移動(dòng)市場(chǎng)在內(nèi)的IT領(lǐng)域迅速站穩(wěn)腳跟，并進(jìn)一步占據(jù)主流地位。今后，三星電子將繼續(xù)領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手推出下一代大容量DRAM和綠色存儲(chǔ)方案，與全球客戶攜手為世界IT市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)做出貢獻(xiàn)。”

未來，三星電子將致力于研發(fā)10納米級(jí)的新一代DRAM產(chǎn)品，突破半導(dǎo)體技術(shù)的瓶頸，持續(xù)推進(jìn)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的發(fā)展。

據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)測(cè)，2014年全球DRAM市場(chǎng)產(chǎn)值將由2013年的356億美元增長(zhǎng)至379億美元。